lol投注app-LOL赛事竞猜

0217-48252626

在线客服| 微信关注
当前位置: 首页 > 企业新闻

【lol投注app】满足供电需求的新型封装技术和MOSFET


lol投注app

在小尺寸器件中驱动更高功率归功于半导体和PCB技术的变革。一种使用顶部风扇标准PCB形式的新型功率MOSFET就用于了新一代半导体技术,在效率等级、功率密度和可靠性等方面都超过了新的水平。  源设计工程师仍然都面对着许多的设计挑战,这是由于先进设备处理器本身的拒绝和更加多的功能都必须消耗功率。

电路板中留下电源转换器的空间经常被传输,即使是在必须许多种供电电压和实际输出功率大大减少的情况。先进设备的PCB形式,例如DaulCoolNexFET功率MOSFET就有助工程师在标准PCB中符合这些市场需求。使用了NexFET技术的功率MOSFET通过减少开关损耗和具备顶部风扇能力的DaulCool功率PCB技术可以构建更高的工作频率,从而需要取得更高的功率密度。

  理想电源  在典型的实时升压开关电源转换器中,MOSFET作为电源用于时的主要损耗还包括开关损耗、传导损耗、体二极管损耗和栅极驱动损耗。开关损耗主要是由器件本身结构的寄生电容产生的。传导损耗是器件工作在强化模式时由导通电阻(RDS(on))产生的。

体二极管损耗是相反电压和反向恢复电荷(Qrr)的LOL赛事竞猜函数。栅极驱动损耗由MOSFET的栅电荷(Qg)要求。因此,寄生电容和导通电阻(RDS(on))要求了器件在特定应用于中的性能。

在现今的高压MOSFET中最广泛用于的技术是TrenchFET(如图1右图)。    图1MOSFET结构较为  TrenchFET技术的普遍用于是由于它替代平面技术的特定管芯尺寸下具备极低的导通电阻,唯一的严重不足就是寄生电容一般来说不会有所增加。面积较为大的闸极墙使它很难减少内部的寄生电容,这种电容使工程师不能在优化性能的较低工作频率和具备更佳功率密度的高工作频率之间作出自由选择。

LOL赛事竞猜

  NexFET技术可以取得与TrenchFET技术相近的导通电阻,而适当的寄生电容约减少50%。器件底部侧面的蔓延MOS(LDMOS:纵向蔓延金属氧化物半导体)和横向流动电流可以获得很高的电流密度。

图1右图的结构表明出有栅极下面的面积在源极区和漏极区重合得很少,这就使得内部寄生电容较小。寄生电容的减少不会使电源时的电荷(Qg、Qgs、Qgd)减少。因此,器件的电源速度不会更慢,也减少了MOSFET中的开关损耗。

同时,驱动电路所必须的能量也较为较低,这也减少了驱动器中的损耗。器件内部的密勒电荷(Qgd)影响器件开关损耗,并要求着避免Cdv/dt关上的电源能力,它的不存在使效率大大降低,并有可能破坏MOSFET。  NexFET技术改良的主要起到是它具备更加较低和更加追的功率损耗-频率曲线(如图2右图)。

LOL赛事竞猜

因此,与TrenchFET技术比起,使用NexFET技术的典型的实时升压电源切换电路在保持完全相同功率损耗的情况下可以工作在两倍的频率。例如,如果将功率损耗容许在3W,并保持仅有阻抗效率低于90%,电源频率就可以从500kHz(TrenchFETMOSFET)减少到1MHz(NexFETMOSFET)。

当开关电源工作在更高的频率时,无源器件,例如输入电感等的尺寸就可以增加50%,这也提高了功率密度。 达到当天最大量API KEY 超过次数限制【LOL赛事竞猜】。

本文来源:lol投注app-www.musclelogicbook.com

客户案例Customer case
  • LOL赛事竞猜:开源节流  统揽统筹  努力提高资金使用绩效
  • 葛睿宁:智能制造与工业4.0的互联互通实践
  • lol投注app|纵切车床:精密轴类加工的得力助手
  • 相约东林︱明日10:00,40W+网友看东林
  • 我校学生在全国导游大赛中获奖
  • 云南西双版纳州累计报告登革热病例103例 输入病例10例|LOL赛事竞猜
  • 英特尔赋予工厂“最强大脑”
  • 农村“以租代征”是个套,农民可要注意了,谨防被套!:lol投注app
  • LOL赛事竞猜:艾艾精工前三季度实现净利润2251.80万元
  • LOL赛事竞猜_干货!选择LED灌胶机的10个小窍门